可靠性問題：片狀電容失效分為三個階段：
第一階段是片狀電容生產、使用過程的失效，這一階段片狀電容失效與制造和加工工藝有關。片狀電容制造過程中，第一道工序陶瓷粉料、有機黏合劑和溶劑混合配料時，有機黏合劑的選型和在瓷漿中的比例決定了瓷漿干燥后瓷膜的收縮率；第三道工序絲印時內電極金屬層也較關鍵，否則易產生強的收縮應力，燒結是形成瓷體和產生片狀電容電性能的決定性工序，燒結不良可以直接影響到電性能，且內電極金屬層與陶瓷介質燒結時收縮不一致導致瓷體內部產生了微裂紋，這些微裂紋對一般電性能不會產生影響，但影響產品的可靠性。主要的失效模式表現為片狀電容絕緣電阻下降，漏電。
防范、杜絕微裂紋的產生：從原材料選配、瓷漿制備、絲網印刷和高溫燒結四方面優選工藝參數，以達到片狀電容內部結構合理，電性能穩定，可靠性好。
第二階段是片狀電容穩定地被用于電子線路中，該階段片狀電容失效概率正逐步減小，并趨于穩定。分析片狀電容使用過程中片狀電容受到的機械和熱應力，即分析加工過程中外力對片狀電容可能的沖擊作用，并依據片狀電容在加工過程中受到的應力作用，設計各種應力實驗條件，衡量作用在片狀電容上的外應力大小及其后果。也可具體做一些片狀電容可靠性實驗以明確片狀電容前階段是否存在可靠性隱患。
片狀電容在該過程中受到熱和機械應力的作用，嚴重時出現瓷體斷裂現象。若片狀電容受到的熱和機械應力接近臨界時，則不出現明顯的斷裂現象，而是表現為內部裂紋的出現或內部微裂紋的產生。用烙鐵補焊時，明顯裂紋則表現為斷裂，微裂紋大多數表現為電性能恢復正常，漏電現象消失，但時間一長，片狀電容可靠性差的缺陷就體現出來。
第三階段是片狀電容長時間工作后出現失效現象，這一階段片狀電容失效往往由于老化、磨損和疲勞等原因使元件性能惡化所致。電子整機到消費者手中出現整機功能障礙，追溯原因，發現片狀電容漏電流大，失效。一般此類問題源自于第一階段或第二階段片狀電容可靠性隱患的最終暴露，該階段出現的質量比前兩個階段嚴重得多。由于整機在消費者使用過程中涉及到的條件，整機生產廠家和元器件廠家大多都模擬試驗過，所以片狀電容在整機出廠前，應符合電子線路的要求，但整機因片狀電容使用一段時間出現質量問題，則要認真研究片狀電容生產或加工過程中的質量隱患。應更換片狀電容以保證電子整機設備的正常工作。
片狀電容出現質量問題，特別是涉及到可靠性方面的質量問題，是一個復雜的過程。它的表現形式主要是瓷體斷裂、微裂或絕緣電阻下降、漏電流增大居多，出現片狀電容可靠性失效的質量問題，應從大角度、全方位、分階段分析、研究該問題。
當然，客觀上片狀電容存在一定比率的失效率，針對與片狀電容有關的質量問題，既要承認陶瓷片狀電容存在一定脆性，又要認可通過現代貼片、組裝技術能夠最限度減少對陶瓷片狀電容的應力沖擊。研究、分析片狀電容出現的質量問題，找到問題產生的根源，對于現在大量使用于電子整機的片式電容而言，防范、杜絕可靠性問題的出現，具有很現實的意義。
貼片電容不宜手工焊接，但如果條件不具備一定要用手工焊接，必須委任可靠的操作員；先把電容和基板預熱到150℃，用不大于20W和頭不超過3mm的電烙，焊接溫度不超過240℃，焊接時間不超過5S進行，要非常小心不能讓烙鐵接觸貼片的瓷體，因為會使瓷體局部高溫而破裂。
貼片式鋁電解電容擁有比貼片式鉭電容更大的容量，其多見于顯卡上，容量在300μF~1500μF之間，其主要是滿足電流低頻的濾波和穩壓作用。
1、測試條件對測量結果的影響
首先考慮測量條件的問題，對于不同容值的貼片電容會采用不同的測試條件來測量容值，主要在測試電壓的設定和測試頻率的設定上有區別，下表所示為不同容值的量測條件:
電容
AC 電壓
頻率
容量>10μF
1.0± 0.2Vrms
120Hz
1000pF<容量≦10μF
1.0± 0.2Vrms
1kHz
容量≦ 1000pF
1.0± 0.2Vrms
1MHz
2、測量儀器的差異對測量結果的影響.
大容量的電容（通常指1UF以上）測量時更容易出現容值偏低的現象，造成這種現象的主要原因是施加在電容兩端的實際電壓不能達到測試條件所需求的電壓，這是因為加在電容兩端的測試電壓由于儀器內部阻抗分壓的原因與實際顯示的設定電壓不一致。為了使測量結果誤差降到最低,我們建議將儀器調校并盡量把儀器的設定電壓跟實際加在電容兩端所測的電壓盡量調整,使實際于待測電容上輸的出電壓一致。
注意： 上表中所示的電壓是指實際加在測試電容兩端的有效電壓（理想電壓）。
由于測試儀器的原因，加在電容兩端實際的輸出電壓與設定的測量電壓(理想電壓）實際上可能會有所出入。
3、影響高容量電容容值測量偏低的因素
（1） 測試儀器內部的阻抗之大小影響.
由于不同的測試儀器之間的內部阻抗都不同，造成儀器將總電壓分壓而使加在測試電容兩端的實際電壓變小。在實際的測試過程中，我們有必要先使用萬用表等工具測試夾具兩端的實際電壓，以確定加在測試貼片電容兩端的輸出電壓。
（2）不同阻抗的測試儀器的輸出電壓對比如下：
儀器內阻100Ω
1V * [100Ω/(100Ω+16Ω)] = 0.86V
10uF測試電容的兩端電壓 ：
首先是陶瓷本體問題-斷裂或微裂，這是最常見的問題之一。斷裂現象較明顯，而微裂一般出在內部，不容易觀察到，涉及到片狀電容的材質、加工工藝和片狀電容使用過程中的機械、熱應力等作用因素影響。
其次是片狀電容電性能問題。片狀電容使用一段時間后出現絕緣電阻下降、漏電。
以上兩個問題往往同時產生，互為因果關系。電容器的絕緣電阻是一項重要的參數，衡量著工作中片狀電容漏電流大小。漏電流大，片狀電容儲存不了電量，片狀電容兩端電壓下降。往往由于漏電流大導致了片狀電容失效，引發了對片狀電容可靠性問題的爭論。
可靠性問題：片狀電容失效分為三個階段：
第一階段是片狀電容生產、使用過程的失效，這一階段片狀電容失效與制造和加工工藝有關。片狀電容制造過程中，第一道工序陶瓷粉料、有機黏合劑和溶劑混合配料時，有機黏合劑的選型和在瓷漿中的比例決定了瓷漿干燥后瓷膜的收縮率；第三道工序絲印時內電極金屬層也較關鍵，否則易產生強的收縮應力，燒結是形成瓷體和產生片狀電容電性能的決定性工序，燒結不良可以直接影響到電性能，且內電極金屬層與陶瓷介質燒結時收縮不一致導致瓷體內部產生了微裂紋，這些微裂紋對一般電性能不會產生影響，但影響產品的可靠性。主要的失效模式表現為片狀電容絕緣電阻下降，漏電。
防范、杜絕微裂紋的產生：從原材料選配、瓷漿制備、絲網印刷和高溫燒結四方面優選工藝參數，以達到片狀電容內部結構合理，電性能穩定，可靠性好。
第二階段是片狀電容穩定地被用于電子線路中，該階段片狀電容失效概率正逐步減小，并趨于穩定。分析片狀電容使用過程中片狀電容受到的機械和熱應力，即分析加工過程中外力對片狀電容可能的沖擊作用，并依據片狀電容在加工過程中受到的應力作用，設計各種應力實驗條件，衡量作用在片狀電容上的外應力大小及其后果。也可具體做一些片狀電容可靠性實驗以明確片狀電容前階段是否存在可靠性隱患。
