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    新聞:唐山BSM300GA120DN2IGBT模塊
    發布者:wd55888  發布時間:2019-12-04 14:06:58
    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
    新聞:唐山BSM300GA120DN2IGBT模塊
    目前二期項目的東湖中學站點已經完成儀器安裝調試工作,另一站點也正在緊鑼密鼓的建設當中。據高閩光介紹,二期項目完全建成后,四套開放光路FTIR設備將對整個泉惠石化園區形成全覆蓋態勢,在石化園區和鄉鎮居民密集生活區邊界形成一道堅強的VOCs監測屏障,必將有力地保障附近居民環境安全。魯愛昕也指出,泉惠石化園區VOCs監測系統是國內基于FTIR技術建成的第一個立體化、網絡化、全覆蓋式VOCs監測網絡。該園區VOCs監測網絡的完美運行具有很強的示范作用,對于提高國產FTIR設備影響力具有重要意義。
    新聞:唐山BSM300GA120DN2IGBT模塊
    IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
    選擇
    IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時,由于開關損耗增大,發熱加劇,選用時應該降等使用。
    新聞:唐山BSM300GA120DN2IGBT模塊
    新聞:唐山BSM300GA120DN2IGBT模塊
    隨著中國經濟增速放緩的不斷持續和結構調整的不斷深入,中國機床工具市場需求也發生了顯著變化:需求總量明顯減少,需求結構加速升級的市場新特征日益明顯。需求結構升級的主要方向可以概括為三個方面,即自動化成套,客戶化訂制和普遍的換擋升級。需求結構的調整絕不是短期的方向,而是用戶領域技術進步和產業升級的必然要求。當個性化需求、批量定制和高端制造成為主流市場的強勁需求,便為機床制造企業提出新的供給目標和發展機會。
    新聞:唐山BSM300GA120DN2IGBT模塊
    測量
    靜態測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大; 表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個單元沒有明顯的故障. 動態測試: 把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時電阻應為300-400歐,把表筆對調也有大約300-400歐的電阻表明此IGBT單元是完好的. 用同樣的方法測試1、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的。 將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的漏極(D),紅表筆接IGBT 的源極(S),此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D),這時IGBT 被觸發導通,萬用表的指針擺向阻值 較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極(S)和柵極(G),這時IGBT 被阻 斷,萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的。 注意:若進第二次測量時,應短接一下源極(S)和柵極(G)。 任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時,一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋,因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低,檢測好壞時不能使IGBT 導通,而無法判斷IGBT 的好壞。
    新聞:唐山BSM300GA120DN2IGBT模塊
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    對此,業內人士分析稱,雖然使用鋰電池會造成產品成本增加,但是這是未來發展趨勢,低速電動車企業不應該只顧眼前利益,也需要及時調整產品戰略,進行產品升級。爭議焦點之三是車輛安全問題,低速電動車企業建議弱化側碰試驗,但是董揚意見是既然車輛在道路中行駛,就應該按照國家現有汽車安全標準要求去做,如碰撞試驗中正碰和側碰一個都不能少。爭議焦點之四是車身尺寸限制可否放寬。業內專家稱,大尺寸有利于車身安全性的提高,并且認為低速電動車標準只要大方向把握準確,碰撞強度、車身尺寸等細節問題都會迎刃而解。
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