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    新聞:濟(jì)寧FF75R12RT4IGBT模塊
    發(fā)布者:wd55888  發(fā)布時(shí)間:2019-12-05 14:27:59
    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
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    中國(guó)計(jì)劃2020年發(fā)射火星探測(cè)器,同時(shí)將目光投向游蕩在太空里的“流浪者”。科學(xué)家近日透露,中國(guó)正籌劃在火星探測(cè)計(jì)劃后,去探測(cè)小行星。中國(guó)國(guó)務(wù)院新聞辦公室最近發(fā)布《2016中國(guó)的航天》白皮書(shū),在介紹未來(lái)5年深空探測(cè)的主要任務(wù)時(shí)也提及小行星探測(cè)。中國(guó)深空探測(cè)科學(xué)目標(biāo)論證專(zhuān)家委員會(huì)成員、中國(guó)科學(xué)院紫金山天文臺(tái)研究員季江徽說(shuō),專(zhuān)家組論證了中國(guó)未來(lái)20年深空探測(cè)的主要科學(xué)目標(biāo),目前基本確定緊隨火星探測(cè)計(jì)劃的是小行星探測(cè),之后是木星及木衛(wèi)系統(tǒng)。
    新聞:濟(jì)寧FF75R12RT4IGBT模塊
    IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
    選擇
    IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),開(kāi)關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí),由于開(kāi)關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時(shí)應(yīng)該降等使用。
    新聞:濟(jì)寧FF75R12RT4IGBT模塊
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    因?yàn)榻嘈徘閼岩嘞嘈爬硐搿1还蓶|大會(huì)否決后,董明珠談了自己的理想:“雖然收購(gòu)珠海銀隆沒(méi)成功,但是董明珠一定要做。希望大家看到我造的車(chē),打著格力的手機(jī),控制家里的溫度,享受格力給你們帶來(lái)的美味佳肴。”2016年12月15日,人民大會(huì)堂,董明珠自掏腰包10億元投資珠海銀隆,這幾乎是她的全部身家。在雪中送炭的人里,還有熟悉的王健林,他投資了5億元。有人詢(xún)問(wèn)為何會(huì)選擇投資。王健林說(shuō):沒(méi)有什么深思熟慮,就是相信董總。
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    測(cè)量
    靜態(tài)測(cè)量:把萬(wàn)用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大; 表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測(cè)量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個(gè)單元沒(méi)有明顯的故障. 動(dòng)態(tài)測(cè)試: 把萬(wàn)用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時(shí)黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時(shí)電阻應(yīng)為300-400歐,把表筆對(duì)調(diào)也有大約300-400歐的電阻表明此IGBT單元是完好的. 用同樣的方法測(cè)試1、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的。 將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的漏極(D),紅表筆接IGBT 的源極(S),此時(shí)萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D),這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬(wàn)用表的指針擺向阻值 較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極(S)和柵極(G),這時(shí)IGBT 被阻 斷,萬(wàn)用表的指針回到無(wú)窮處。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。 注意:若進(jìn)第二次測(cè)量時(shí),應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G)。 任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí),一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,因R×1K Ω擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通,而無(wú)法判斷IGBT 的好壞。
    新聞:濟(jì)寧FF75R12RT4IGBT模塊
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    此外,何立峰還兼任國(guó)務(wù)院扶貧開(kāi)發(fā)領(lǐng)導(dǎo)小組副組長(zhǎng)。2015年10月16日,何立峰在出席2015減貧與發(fā)展高層論壇“國(guó)際發(fā)展議程與精準(zhǔn)扶貧高級(jí)別會(huì)議”時(shí)表示,在推動(dòng)集中連片特困地區(qū)減貧,將加快推進(jìn)重大基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)項(xiàng)目。“目前在集中連片特困地區(qū)區(qū)域發(fā)展和扶貧攻堅(jiān)規(guī)劃當(dāng)中明確的交通、能源、通信、水利、生態(tài)環(huán)保、社會(huì)事業(yè)等重大基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目,大部分已經(jīng)開(kāi)工建設(shè),部分已經(jīng)建成投入使用。”何立峰表示。在扶貧工作中,能源產(chǎn)業(yè)發(fā)揮了重要作用,包括正在大力推進(jìn)的光伏扶貧工作。
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