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    KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 鍍制氣體傳感器 WO3 薄膜
    發布者:bdqysh  發布時間:2021-01-22 14:35:40

    某傳感器制造商為了制備出具有高結晶度、大比表面積、排列規則的納米結構 WO3 薄膜經過對比選擇采用  KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射沉積設備鍍制 WO3 薄膜.

     

    KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:

    射頻離子源型號

    RFICP380

    Discharge 陽極

    射頻 RFICP

    離子束流

    >1500 mA

    離子動能

    100-1200 V

    柵極直徑

    30 cm Φ

    離子束

    聚焦平行散射

    流量

    15-50 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長度

    39 cm

    直徑

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

     

     

    氣體傳感器可以將被檢測氣體的種類、濃度等信息轉變為可測信號并將計算機與被檢測到的信號連接口相連接構成自動的監控、檢測系統氧化鎢薄膜可以吸附各種氣體從而導致薄膜的電阻或光學參數的變化常常應用于氣體傳感器領域.

     

    KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

     

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