電光調(diào)制器是把電子信號加載至光載波上的關(guān)鍵功能器件。對光通信鏈路、特別是需求高速增長的數(shù)據(jù)中心互聯(lián)(Data Centre Interconnect , DCI)鏈路來說，它的性能不僅決定了發(fā)射光信號的碼率、質(zhì)量和傳輸距離，并且也是光模塊尺寸和功耗的決定性因素。因此，電光調(diào)制器是高速光通信鏈路真正的關(guān)鍵瓶頸性器件。
Advanced Photonics特邀比利時根特大學(xué)知名學(xué)者Roel Baets率領(lǐng)的硅基光子集成研究團隊撰寫電光調(diào)制器技術(shù)綜述文章。相關(guān)工作以Taking Silicon Photonics Modulators to a Higher Performance Level: State of the Art and A Review of New Technologies為題發(fā)表于 Advanced Photonics 2021年第2期，是關(guān)注光通信、光互連技術(shù)發(fā)展者的必讀。
圖1 光通信系統(tǒng)使世界互聯(lián)(圖片來自網(wǎng)絡(luò))
電光調(diào)制器簡史
在長達30年的時間里，鈮酸鋰晶體鈦擴散波導(dǎo)電光調(diào)制器是長距離高數(shù)碼率光通信系統(tǒng)的不二選擇。其基本工作原理是基于鈮酸鋰(Lithium Niobate)晶體電光效應(yīng)(Electro-Optic Effect , 又稱Pockels效應(yīng))，通過施加電場導(dǎo)致折射率變化，進而實現(xiàn)光相位調(diào)制。鈮酸鋰晶體對光通信波段波長完全透明，具有極低的插入損耗。Pockels效應(yīng)產(chǎn)生純相位調(diào)制而沒有寄生振幅調(diào)制，且該效應(yīng)本身幾乎沒有響應(yīng)速度限制。其基本性能參數(shù)為半波電壓-長度積，即獲得Π相位調(diào)制所需的電壓與傳播長度之乘積。
將電光相位調(diào)制器置于馬赫-曾德干涉器(Mach-Zehnder Interferometer, MZI)或其他干涉光路中(例如環(huán)形諧振腔)，即可構(gòu)建振幅調(diào)制器，并進一步構(gòu)建復(fù)雜的正交相位(IQ)調(diào)制器等面向相干光通信的器件。鈮酸鋰晶體馬赫-曾德調(diào)制器(MZM)具有優(yōu)秀的性能，然而其高昂的價格、較大的尺寸和較高的功耗是高密度、短距離的光互連鏈路不能容忍的。早期的X切鈮酸鋰晶體電光調(diào)制器模塊長度達10 cm以上，驅(qū)動電壓達5-6 V，器件本身(50Ω 特征阻抗匹配)功耗即達～0.5 W，驅(qū)動電路模塊功耗往往高達數(shù)瓦。由于光波與調(diào)制電信號的傳播速度適配問題，較長的器件長度也不利于提高調(diào)制帶寬。Z切鈮酸鋰晶體電光調(diào)制器降至CMOS兼容的電壓范圍(～3 V)，長度降低至5 cm以下，器件本身及驅(qū)動電路模塊功耗大幅度下降，但對于光互連鏈路仍然太高。
因此光互連鏈路大量采用對激光器驅(qū)動電流進行直接調(diào)制。直接調(diào)制具有簡單、低成本的特點，但是信號碼率受到激光器調(diào)制帶寬限制，并且往往伴隨顯著的寄生頻率調(diào)制，即所謂“啁啾(Chirp)效應(yīng)”。隨著數(shù)據(jù)碼率的劇增，直接調(diào)制已經(jīng)不能滿足信號碼率、信號質(zhì)量和復(fù)雜調(diào)制格式的要求。
圖2 鈮酸鋰晶體(圖片來自網(wǎng)絡(luò))
圖3 鈮酸鋰電光調(diào)制器(圖片來自網(wǎng)絡(luò))
激光器與電致吸收(Electro-absorption)調(diào)制器單片集成的外調(diào)制激光器(EML)提供了部分解決方案。EA調(diào)制器是光強度調(diào)制器。其工作原理是半導(dǎo)體材料能帶間隙隨電場的變化(半導(dǎo)體材料的Franz-Keldish效應(yīng)或量子阱結(jié)構(gòu)的Quantum Confined Stark Effect, QCSE)導(dǎo)致半導(dǎo)體對光子能量接近但略低于能帶間隙的光波長吸收系數(shù)變化。EA調(diào)制器具有尺寸小、驅(qū)動電壓低以及可與激光器單片集成的優(yōu)點，同時也具有插入損耗較高、寄生相位調(diào)制即啁啾效應(yīng)較大、對波長和飽和光功率受限的缺點。基于QCSE也可對光子能量低于且較遠離能帶間隙的光波實現(xiàn)寄生幅度調(diào)制較小的相位調(diào)制、并進一步構(gòu)建MZM強度調(diào)制器和相干調(diào)制器。
近年來，隨著硅基光子(Silicon Photonics, SiPh)集成技術(shù)的崛起，基于硅材料的電光調(diào)制器作為硅基光子集成芯片的核心部件開始進入光互連鏈路實用。絕大多數(shù)硅基電光調(diào)制器都基于自由載流子等離子體效應(yīng)(Free Carrier Plasma Effect)，即在半導(dǎo)體中注入自由載流子時，半導(dǎo)體折射率將發(fā)生變化，因而實現(xiàn)光相位調(diào)制。然而自由載流子同時也產(chǎn)生附加的光吸收，因此自由載流子等離子體效應(yīng)電光相位調(diào)制器具有一定程度的寄生振幅調(diào)制，不但導(dǎo)致額外插入損耗，在進一步構(gòu)建MZM強度調(diào)制器時并可能影響調(diào)制信號的消光比，需要在設(shè)計時仔細優(yōu)化。這一問題也對實現(xiàn)更復(fù)雜的高階、相干調(diào)制格式形成了限制。同時，載流子有限的注入和掃出的速度，決定了自由載流子等離子體效應(yīng)調(diào)制器的調(diào)制速度或數(shù)據(jù)碼率上限。
如何避免硅基自由載流子等離子體電光調(diào)制器的缺點、進一步提高硅基光子芯片發(fā)射光信號的質(zhì)量、數(shù)碼率，并實現(xiàn)頻譜效率更高的復(fù)雜調(diào)制格式，是一個主要技術(shù)挑戰(zhàn)。近年來，多種新型電光材料如聚合物、鐵電材料薄膜如鈮酸鋰、鈦酸鋇(BTO)、鈦鋯酸鉛(PZT)等薄膜乃至石墨烯等二維材料構(gòu)建的電光調(diào)制器嶄露頭角。
圖4 硅基(a)LiNbO3，(b)BTO，(c)PZT和(d)有機物調(diào)制器的代表性截面，
圖片來自Taking Silicon Photonics Modulators to a Higher Performance Level: State of the Art and A Review of New Technologies
其中，鈮酸鋰薄膜(Thin Film Lithium Niobate , TFLN)電光調(diào)制器得到研究者和產(chǎn)業(yè)界重視。鈮酸鋰材料的高可靠性在現(xiàn)有鈦擴散波導(dǎo)鈮酸鋰晶體調(diào)制器近30年的實際應(yīng)用中得到了證實。相對于鈦擴散形成的弱波導(dǎo)，薄膜波導(dǎo)在保持低插入損耗的同時具有較強的光限制，可將光波集中于橫截面積約為擴散波導(dǎo)十分之一的脊形波導(dǎo)內(nèi)，從而大幅度降低半波電壓-長度積，降低器件與驅(qū)動電路功耗、減小尺寸并有利于進一步提高調(diào)制帶寬。基于TFLN的電光調(diào)制器和其他光子器件連續(xù)取得突破性進展，實現(xiàn)了硅基集成，展示了～ 2 V-cm的半波電壓-長度積、單波長高達320 Gb/s的數(shù)據(jù)速率和面向相干光通信的正交相位(IQ)調(diào)制，并已經(jīng)開始商業(yè)化進程。
電光聚合物、BTO、PZT等適于硅基集成的材料具有遠高于TFLN的Pockels系數(shù)，展示了低于1 V-cm的半波電壓-長度積，有可能進一步大幅度提升電光調(diào)制器性能。硅基集成石墨烯構(gòu)建的電光調(diào)制器具有電致折射率或電致吸收調(diào)制能力，因而可能構(gòu)建電致吸收強度調(diào)制器或相位調(diào)制器。石墨烯調(diào)制器展示了很低的調(diào)制電壓-長度積，且由于石墨烯具有很高電子遷移率，其響應(yīng)速度可以支持很高的調(diào)制數(shù)碼率。基于這些新材料的電光調(diào)制器是值得關(guān)注的發(fā)展方向。