型號：ANB系列
電路方式：IGBT/SPWM脈寬調制方式 正弦波輸出
?輸入電壓：單相220V±10% ?三相380V±10%
?輸入相數：單相兩線/三相四線
?輸入頻率：50Hz/60Hz±10%
?輸出電壓：相電壓：低檔：0-150V，高檔：0-300V(單相)線電壓：低檔：0-260V，高檔：0-520V(三相)
?輸出頻率：范圍：40.0～200.0Hz，調節步幅為0.1Hz；額定：50/60/100/200Hz
?穩壓率：≤1%
頻率穩定度：定頻≤0.01%，調頻≤0.1%
波形失真度：THD≤2%
反應時間：≤2ms
?效率：≥94%
顯示方式：默認數碼管顯示 ?彩色觸摸屏顯示（選配）
保護功能：完善的過壓、過流、過溫、過載、短路保護及自動報警
過流保護特性：105% 10分鐘；120% 1分鐘；150% 30秒；200% 10秒；300%立即保護。
?通信接口：RS232或RS485通訊（選配）
三相相位差：120o±2o
動態特性：100%突加突卸負載，電壓突變≤5%，恢復時間20ms。
絕緣電抗：500Vdc?20MΩ
?耐壓絕緣：1800Vac/5mA/1分鐘
? 冷卻方式：風扇制冷
工作溫度：-15℃-+45℃
相對濕度：0-90%（非凝結狀態）
海拔高度：≤2000m
交流拖動本身存在可以挖掘的節電潛力。在交流調速系統中，選用電機時往往留有一定余量，電機又不總是在最大負荷情況下運行；如果利用變頻電源調速技術，輕載時，通過對電機轉速進行控制，就能達到節電的目的。工業上大量使用風機、水泵、壓縮機等，其用電量約占
工業用電量的50%；如果采用變頻電源調速技術，既可大大提高其效率，又可減少10%的
電能消耗。
20162016
電源系統的CAD，包括主電路和控制電路設計、器件選擇、參數最優化、磁設計、熱設計、EMI設計和印制電路板設計、可*性預估、計算機輔助綜合和優化設計等。用基于仿真的專家系統進行電源系統的CAD，可使所設計的系統性能最優，減少設計制造費用，并能做可制造性分析，是21世紀仿真和CAD技術的發展方向之一。此外，電源系統的熱測試、EMI測試、可*性測試等技術的開發、研究與應用也是應大力發展的。關注點十：系統集成技術電源設備的制造特點是：非標準件多、勞動強度大、設計周期長、成本高、可*性低等，而用戶要求制造廠生產的電源產品更加實用、可*性更高、更輕小、成本更低。這些情況使電源制造廠家承受巨大壓力，迫切需要開展集成電源模塊的研究開發，使電源產品的標準化、模塊化、可制造性、規模生產、降低成本等目標得以實現。實際上，在電源集成技術的發展進程中，已經經歷了電力半導體器件模塊化，功率與控制電路的集成化，集成無源元件(包括磁集成技術)等發展階段。近年來的發展方向是將小功率電源系統集成在一個芯片上，可以使電源產品更為緊湊，體積更小，也減小了引線長度，從而減小了寄生參數。在此基礎上，可以實現一體化，所有元器件連同控制保護集成在一個模塊中。
（圖）德宏變頻電源-德宏變頻電源（圖）
6.接線端子請選用O型端子施工。輸入及輸出端子盤接線時，務必將電源線接好，并注意螺絲旋緊，避免接觸不良并防止觸電 發生。
7.接線時請關閉電源，嚴禁帶電作業，注意安全。
8.配線時注意所有接線端子插頭、插座有無松動，以避免導電產生危險。
9.接線：接線端子位于機柜內部前下方，開門后可見（參見附圖：結構及安裝位置圖），請按下列說明連線。
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概 述
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WYJ系列直流穩壓電源是高穩定度的穩壓流自動轉換的主精度直流電源，輸出電壓在額定范圍內連續可調。輸出電源電壓顯示分別有數碼管顯示、液晶顯示、指針式電表三種形式可選。直流電源輸出形式為單路、雙路和三路（雙路附加固定5V、3V）三種，雙路輸出都可設計成跟蹤形式串聯或并聯，輸出具有良好的過載、過流保護；使用性、安全性極好。
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適用范圍
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科研、院校、工廠及電子電器修理等。
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技術參數
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名稱
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參數
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輸入電壓
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220v±10%
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頻率
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50V±2Hz
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輸出電壓
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連續可調DC;0-30/60V 固定DC:5V3V(三路輸出)
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輸出電流
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連續可調(DC:0-1A/2A/3A/5A)(DC:0-10A/20A/30A/50A)
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保護
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電流限流保護及短保護
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電源效應
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CV≤1*10-4+5mV CC≤3*10-4+10mV
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負載效應
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CV≤1*10-4+2mV CV≤1*10-4+4mV輸出電流
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紋波和噪聲
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CV≤1mVrms
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環境溫度
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0℃~+40℃
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相對溫度
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20-85%
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應用壓電變壓器可使高頻功率變換器實現輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器利用壓電陶瓷材料特有的“電壓-振動”變換和“振動-電壓”變換的性質傳送能量，其等效電路如同一個串并聯諧振電路，是功率變換領域的研究熱點之一。 三是采用新型電容器。為了減小電力電子設備的體積和重量，必須設法改進電容器的性能，提高能量密度，并研究開發適合于電力電子及電源系統用的新型電容器，要求電容量大、等效串聯電阻ESR小、體積小等。 關注點三：高頻磁與同步整流技術 電源系統中應用大量磁元件，高頻磁元件的材料、結構和性能都不同于工頻磁元件，有許多問題需要研究。對高頻磁元件所用磁性材料有如下要求：損耗小，散熱性能好，磁性能優越。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關注，納米結晶軟磁材料也已開發應用。 高頻化以后，為了提高開關電源的效率，必須開發和應用軟開關技術。它是過去幾十年國際電源界的一個研究熱點。 對于低電壓、大電流輸出的軟開關變換器，進一步提高其效率的措施是設法降低開關的通態損耗。例如同步整流SR技術，即以功率MOS管反接作為整流用開關二極管，代替蕭特基二極管(SBD)，可降低管壓降，從而提高電路效率。
變頻電源裝置主要分為交—直—交變頻和交—交變頻兩大類，交—直—交變頻又可分為電壓型和電流型兩大類，交—交變頻多為電壓型，也有少量使用電流型。
變頻電源控制方式分為電壓型、電流型、
脈沖寬度調制型等。其主回路的拓撲、控制策略都有多種方式可以選擇，如功率器件有scr（晶閘管，thyristor）、
gto（門極關斷晶閘管，gateturn-offthyristor）、
igbt（
絕緣柵雙極晶體管，insulated-gatebipolartransistor）、
igct（
集成門極換流晶閘管，integratedgatecommutatedthyristor，是一種
新型半導體功率器件，在gto的基礎發展起來的）等；主回路的拓撲結構可選擇兩電平、三電平、負載換相式scr電流型變頻器等，控制策略可選擇v/f控制、矢量控制、
直接轉矩控制、
脈沖寬度調制（pwm）或
脈沖幅度調制（pam）等；電壓也有高壓（3～6kv，主要是大容量的同步或異步電動機）、中壓或抵壓（如一般的小功率380v和軋鋼輔傳動的
電動機）等。此外，變頻調速還有
變極調速，
無級調速還有矢量控制方式、變壓變頻（
vvvf）控制方式等，價格極為不同，如何選擇是一大問題。表3示出了我國寶鋼從日本引進的于1989年投產的1900mm板坯連鑄全交流方式。從表中可以看出，變頻調速采用變極、vvvf和矢量變換控制三種方式，在調速要求不需無級的只須有限變速的采用變極控制方式，要求速度控制不嚴格的如
輥道速度控制采用變壓變頻（vvvf）方式，要求速度控制嚴格的才采用矢量變換控制方式，這樣目的是節約投資和簡化維護，這種按工藝要求選擇變頻器的方法可作為為其他車間交流化作為準則，如燒結的全交流化，其配料的變頻電源采用vvvf方式，臺車采用矢量變換控制方式。
功率半導體開關管在開關過程中產生的di/dt和dv/dt，引起強大的傳導電磁干擾和諧波干擾。有些情況還會引起強電磁場(通常是近場)輻射。不但嚴重污染周圍電磁環境，對附近的電氣設備造成電磁干擾，還可能危及附近操作人員的安全。同時，電力電子電路(如開關變換器)內部的控制電路也必須能承受開關動作產生的EMI及應用現場電磁噪聲的干擾。上述特殊性，再加上EMI測量上的具體困難，在電力電子的電磁兼容領域里，存在著許多交*科學的前沿課題有待人們研究。國內外許多大學均開展了電力電子電路的電磁干擾和電磁兼容性問題的研究，并取得了不少可喜成果。近幾年研究成果表明，開關變換器中的電磁噪音源，主要來自主開關器件的開關作用所產生的電壓、電流變化。變化速度越快，電磁噪音越大。關注點九：設計和測試技術建模、仿真和CAD是一種新的設計工具。為仿真電源系統，首先要建立仿真模型，包括電力電子器件、變換器電路、數字和模擬控制電路以及磁元件和磁場分布模型等，還要考慮開關管的熱模型、可*性模型和EMC模型。各種模型差別很大，建模的發展方向是：數字-模擬混合建模、混合層次建模以及將各種模型組成一個統一的多層次模型等。
德宏變頻電源-德宏變頻電源（圖）德宏變頻電源-德宏變頻電源（圖）德宏變頻電源-德宏變頻電源（圖）德宏（圖）
上世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發展和變化，經歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統的集成技術三個發展階段。 功率半導體器件從雙極型器件(BPT、SCR、GTO)發展為MOS型器件(功率MOSFET、IGBT、IGCT等)，使電力電子系統有可能實現高頻化，并大幅度降低導通損耗，電路也更為簡單。 自上世紀80年代開始，高頻化和軟開關技術的開發研究，使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關技術是過去20年國際電力電子界研究的熱點之一。 上世紀90年代中期，集成電力電子系統和集成電力電子模塊(IPEM)技術開始發展，它是當今國際電力電子界亟待解決的新問題之一。 關注點一：功率半導體器件性能 1998年，Infineon公司推出冷MOS管，它采用“超級結”(Super-Junction)結構，故又稱超結功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態電阻幾乎降低了一個數量級，仍保持開關速度快的特點，是一種有發展前途的高頻功率半導體器件。 IGBT剛出現時，電壓、電流額定值只有600V、25A。很長一段時間內，耐壓水平限于1200V～1700V，經過長時間的探索研究和改進，
2016
