| 富士IGBT模塊7MBR50VB120-50FUJIIGBT模塊代理商 |
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價格：385.00 元(人民幣) | 產地：上海上海 |
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上海菲茲電子科技有限公司
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| 經營模式：貿易公司 | 公司類型：股份有限公司 | |
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 IGBT?在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET?來運行的，只是在漏源電壓Uds?下降過程后期，?PNP?晶體管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on)?為開通延遲時間，tri?為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton?即為td?(on)?tri?之和，漏源電壓的下降時間由tfe1?和tfe2?組成。  IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,?兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。  正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應用技術發展的需求；高壓領域的許多應用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上，只能通過IGBT高壓串聯等技術來實現高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經獲得實際應用，日本東芝也已涉足該領域。與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術，主要采用1um以下制作工藝，研制開發取得一些新進展。2013年9月12日?我國自主研發的高壓大功率3300V/50A?IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片及由此芯片封裝的大功率1200A/3300V?IGBT模塊通過，中國自此有了完全自主的IGBT“中國芯”。 .jpg) 
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