| 4英寸氮化鎵晶體，硅摻雜GaN單晶拋光晶片，寬禁帶半導體材料 |
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價格：2.00 元(人民幣) | 產(chǎn)地：江蘇無錫 |
| 最少起訂量：1 | 發(fā)貨地：江蘇無錫 | |
| 上架時間：2023-09-11 20:58:59 | 瀏覽量：25 | |
江陰皓睿光電新材料有限公司
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| 經(jīng)營模式：生產(chǎn)加工 | 公司類型：私營有限責任公司 | |
| 所屬行業(yè)：光電子器件 | 主要客戶：科研院所 | |
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 .jpg)  4英寸氮化鎵晶體（硅摻）規(guī)格書 .jpg) 氮化鎵（GaN）半導體禁帶寬度大、導熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬度和絕緣破壞電場，使得器件導通電阻減少，有利與提升器件整體的能效；電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。    
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