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供應(yīng)7MBR30SA060-50富士IGBT模塊庫(kù)存充足一站式采購(gòu)
供應(yīng)7MBR30SA060-50富士IGBT模塊庫(kù)存充足一站式采購(gòu) 價(jià)格:385.00  元(人民幣) 產(chǎn)地:上海上海
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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品參數(shù)
品牌富士
系列IGBT系列
封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝
批號(hào)new
可控硅類型硅(si)
種類化合物半導(dǎo)體
數(shù)量9999
可售賣地全國(guó)
IGBT?的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。
IGBT?的伏安特性是指以柵源電壓Ugs?為參變量時(shí),漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs?的控制,Ugs?越高,?Id?越大。它與GTR?的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1?、放大區(qū)2?和擊穿特性3?部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT?,正向電壓由J2?結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N 緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入N 緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平,因此限制了IGBT?的某些應(yīng)用范圍。

IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET?器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT?技術(shù)高出很多。

IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓,柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí),必須基于以下的參數(shù)來(lái)進(jìn)行:器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因?yàn)镮GBT柵極-?發(fā)射極阻抗大,故可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行觸發(fā),不過(guò)由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大,故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動(dòng)電路提供的偏壓更高。

IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于變頻調(diào)速外,600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上的發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,大大降低電路接線電感,提高系統(tǒng)效率,現(xiàn)已開(kāi)發(fā)成功第二代IPEM,其中所有的無(wú)源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點(diǎn)

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