富士IGBT模塊6MBI15S-120-02現貨銷售庫存充足 |
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價格:385.00 元(人民幣) | 產地:上海上海 |
最少起訂量:1 | 發貨地:上海上海 | |
上架時間:2023-10-25 19:27:13 | 瀏覽量:45 | |
上海菲茲電子科技有限公司
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經營模式:貿易公司 | 公司類型:股份有限公司 | |
所屬行業:二極管 | 主要客戶:中冶南方(武漢)自動化有限公司 | |
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![]() 器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(包括P 和P-區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區(Subchannel?region)。而在漏區另一側的P 區稱為漏注入區(Drain?injector),它是IGBT特有的功能區,與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管,起發射極的作用,向漏極注入空穴,進行導電調制,以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極(即集電極C) ![]() 動態特性又稱開關特性,IGBT的開關特性分為兩大部分:一是開關速度,主要指標是開關過程中各部分時間;另一個是開關過程中的損耗。 IGBT?的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT?處于導通態時,由于它的PNP?晶體管為寬基區晶體管,所以其B?值極低。盡管等效電路為達林頓結構,但流過MOSFET?的電流成為IGBT?總電流的主要部分。此時,通態電壓Uds(on)?可用下式表示 Uds(on)?=?Uj1? ?Udr? ?IdRoh 式中Uj1?——?JI?結的正向電壓,其值為0.7?~1V?;Udr?——擴展電阻Rdr?上的壓降;Roh?——溝道電阻 ![]() IGBT?的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。 IGBT?的伏安特性是指以柵源電壓Ugs?為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs?的控制,Ugs?越高,?Id?越大。它與GTR?的輸出特性相似.也可分為飽和區1?、放大區2?和擊穿特性3?部分。在截止狀態下的IGBT?,正向電壓由J2?結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N 緩沖區,則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入N 緩沖區后,反向關斷電壓只能達到幾十伏水平,因此限制了IGBT?的某些應用范圍。 ![]() ![]() ![]() |
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