| 光刻膠AZ膠正膠負膠AZ5214EAZ5200EAZ4562AZ1500系列 |
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價格：4200.00 元(人民幣) | 產地：江蘇蘇州 |
| 最少起訂量：1 | 發貨地：江蘇蘇州 | |
| 上架時間：2023-12-14 08:03:04 | 瀏覽量：295 | |
武漢邁可諾科技有限公司
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AZ5214E高解像度圖形反轉正/負可改變型光刻膠，特別為lift-off工藝優化。AZ5214E勻膠厚度1.5μm~3μm，AZ5200E系列勻膠厚度為：0.5μm~6μm。 AZ5214E特征： 1) 適用于高分辨率工藝(lift-off工藝)； 2) 適用于正/負圖形； 3) 很寬的膜厚范圍。 AZ 5200E系列光刻膠參考工藝條件： 前烘?：100℃ 60秒 (DHP)； 曝光?：I線步進式曝光機/接觸式曝光機； 反轉烘烤?：110~125℃ 90秒 (DHP):去離子水30秒； 全面曝光?：310~405nm ?(在曝光光源下全面照射)； 顯影?：AZ300MIF (2.38) 23℃ 30~60秒Puddle； ? ? ? ? ：AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping； ? ? ? ? ：AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping； 清洗?：去離子水30秒； 后烘?：120℃ 120秒 (DHP)； 剝離?：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化； 產品型號：
? AZP4620超厚膜，高對比度，高感光度G線標準正型光刻膠，適用于半導體制造及GMR磁頭制造。 特征： 1) 高對比度，高感光度 2) 高附著性，對電鍍工藝高耐受性 3) 多種粘度可供選擇 參考工藝條件： 前烘?：100℃ 90秒以上 (DHP) 曝光?：G線步進式曝光機/接觸式曝光系統 顯影?：AZ300MIF顯影液23℃ 60~300秒 清洗?：去離子水 后烘?：120℃ 60秒以上 剝離?：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化 產品型號：
? AZ?4500系列??AZ4562 具有最佳粘附力的厚光刻膠 特點： AZ???4500系列（AZ???4533和AZ???4562）是正性厚光刻膠，在普通濕法蝕刻和電鍍工藝中具有優良的粘附性能： l??優化對所有常見基材的附著力 l??寬廣的工藝參數窗口，可實現穩定且可重復的光刻工藝 l??與所有常見的顯影液兼容（基于KOH或TMAH） l??與所有常見的去膠劑兼容（例如AZ100去膠劑、有機溶劑或堿性溶劑） l??對g，h和i線敏感（約320-440 nm） l??光刻膠厚度范圍約?3-30微米 ? AZ???4500系列（AZ???4533和AZ???4562）的溶劑濃度不同，因此可達到的光刻膠膜厚有較大的范圍：
若光刻膠膜厚度 30 μm？ 通常，AZ?4562可以用來涂覆厚度達30微米及以上。然而，在該厚度范圍內，軟烘烤、曝光、顯影等變得非常耗時。此外，如果涂得太厚，AZ?4562也可能在曝光期間形成N2氣泡。 因此，對于厚度大于30 μm的光刻膠膜厚度，強烈建議使用化學放大的AZ?40 XT光刻膠。 顯影液——適用于AZ???4500光刻膠 如果可以使用含金屬離子的顯影液，可使用1：4稀釋的KOH基AZ?400K作為顯影液（對于更高的光刻膠膜厚度，可用1：3.5 - 1：1的稀釋濃度）。 如果必須使用不含金屬離子的顯影液，我們建議使用基于TMAH基的AZ?326 MIF，AZ?726 MIF或AZ?826 MIF顯影劑（未稀釋）。 ? 去膠劑——適用于AZ???4500光刻膠 對于非交聯的光刻膠薄膜，可以使用AZ?100作為去膠劑，DMSO或其他常見的有機溶劑作為剝離劑。 如果光刻膠膜已交聯（例如，在干法蝕刻等離子工藝或離子注入時，> 140°C的高溫步驟時），我們建議使用不含NMP的TechniStrip P1316作為去膠劑。 EM膠
PMGI&LOR Lift-off光刻膠< |
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