| 單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs）半導體晶片 |
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價格：\u9762\u8bae 元(人民幣) | 產地：福建廈門 |
| 最少起訂量：1 | 發貨地：福建廈門 | |
| 上架時間：2024-04-17 13:20:08 | 瀏覽量：43 | |
廈門中芯晶研半導體有限公司
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砷化銦（InAs）是一種由銦和砷組成的直接躍遷半導體，類似于砷化鎵，其禁帶寬度為0.45eV（300K）。其外觀為灰色立方晶體，熔點為942°C，晶格常數為0.6058nm，砷化銦晶體結構為閃鋅礦結構。砷化銦以其高電子遷移率和窄能帶隙而眾所周知，被廣泛用作太赫茲輻射源。 .jpg) 2. InAs晶片應用 .jpg) .jpg) .jpg) .jpg) .jpg)
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