| 銻化鎵（GaSb）單晶III-V族化合物半導體生產可供襯底與外延片 |
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價格：\u9762\u8bae 元(人民幣) | 產地：福建廈門 |
| 最少起訂量：1 | 發貨地：福建廈門 | |
| 上架時間：2024-12-27 22:29:23 | 瀏覽量：3 | |
廈門中芯晶研半導體有限公司
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銻化鎵（GaSb）單晶屬于III-V族化合物材料，具有較小的帶隙，在室溫下其能帶隙為 0.70 eV (1.77 μm)，在 4K 下為 0.81 eV (1.53 μm)。該材料適用于工作在紅外區域的光電器件和波長范圍為 1-5 μm 的電子器件。可提供銻化鎵晶片，參數如下僅供參考：  2.?GaSb單晶特性 
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