| 4英寸氮化鎵晶體，硅摻雜GaN單晶拋光晶片，寬禁帶半導體材料 |
 |
價格：2.00 元(人民幣) | 產地：江蘇無錫 |
| 最少起訂量：1 | 發貨地：江蘇無錫 | |
| 上架時間：2025-01-28 08:19:49 | 瀏覽量：2 | |
江陰皓睿光電新材料有限公司
 |
||
| 經營模式：生產加工 | 公司類型：私營有限責任公司 | |
| 所屬行業：光電子器件 | 主要客戶：科研院所 | |
 在線咨詢  |
||
| 聯系人:吳明博 (先生) | 手機:13961650381 |
電話: |
傳真: |
| 郵箱:derry@helioswafer.com | 地址:江蘇省無錫市江陰市果園路12號 |
.jpg) .jpg) .jpg) 4英寸氮化鎵晶體（硅摻）規格書  氮化鎵（GaN）半導體禁帶寬度大、導熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬度和絕緣破壞電場，使得器件導通電阻減少，有利與提升器件整體的能效；電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。    
|
|||||||||||||||||||||||||||
| 版權聲明：以上所展示的信息由會員自行提供，內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。機電之家對此不承擔任何責任。 友情提醒：為規避購買風險，建議您在購買相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。 |
