高效能高穩(wěn)定性SiC外延片,適用于高頻、高溫環(huán)境,推動(dòng)綠色能源發(fā)展 |
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價(jià)格:1.00 元(人民幣) | 產(chǎn)地:福建廈門 |
最少起訂量:1 | 發(fā)貨地:福建廈門 | |
上架時(shí)間:2025-03-27 19:16:25 | 瀏覽量:3 | |
廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
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經(jīng)營(yíng)模式: | 公司類型: | |
所屬行業(yè):分立半導(dǎo)體 | 主要客戶: | |
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聯(lián)系人:周 (小姐) | 手機(jī):15306096621 |
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郵箱:vp@honestgroup.cn | 地址: |
可供定制化SiC外延片,包括同質(zhì)外延與異質(zhì)外延,用于碳化硅器件的開發(fā)。我們通常使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法在碳化硅襯底上沉積一層單晶或多層單晶薄膜以形成外延晶片。其中,碳化硅同質(zhì)外延片是通過在導(dǎo)電碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層來制備的,進(jìn)一步制成功率器件。具體以MOS級(jí)碳化硅外延片規(guī)格為例: ![]() 2. 為什么我們需要碳化硅基底外延片? 3. 碳化硅外延片的應(yīng)用領(lǐng)域 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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