FF1000R17IE4 |
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價格:100 元(人民幣) | 產地:國外國外 |
最少起訂量:1只 | 發貨地:安徽蕪湖市 | |
上架時間:2019-06-10 21:39:35 | 瀏覽量:1265 | |
蕪湖海拓電子有限公司
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經營模式:貿易公司 | 公司類型:私營獨資企業 | |
所屬行業:電力電子 | 主要客戶:Delta | |
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聯系人:蔣 (先生) | 手機:18955319741 |
電話: |
傳真: |
郵箱:250348534@qq.com | 地址:安徽省蕪湖市鳩江區四褐山街道龍山路小蜜蜂電商園411室 |
產地IGBT模塊FF1000R17IE4、FF1200R17KE3等
infineon英飛凌、賽米控(西門康)SEMIKRON 可控硅 IGBT 系列產品,本公司可直接向德國訂貨,貨源穩 交期快 量大更優惠!保證每顆型號都為原裝正品新件。歡迎新老客戶咨詢! 所報價格均含稅含運費價格!如果不明白歡迎來電咨詢,謝謝! 原裝正品、長期現貨、三包承若
FZ1600R12KE3、FZ1600R17KF6C_B2、FZ1600R12KL4C
FZ2400R12KE3、FZ2400R12KE3_B9、FZ2400R12KF4 FS225R12KE3、FS25R12KT3、FS100R12KT3 英飛凌 IGBT(2U):FF75R12Y3、FF100R12YT3、FF150R12YT3、BSM25GB120DN2、 BSM35GB120DN2、BSM50GB120DN2、BSM75GB120DN2、BSM100GB120DN2、BSM100GB120DN2K、 BSM150GB120DN2、BSM200GB120DN2、BSM300GB120DN2、BSM50GB120DLC、BSM75GB120DLC、 BSM100GB120DLC、BSM150GB120DLC、BSM200GB120DLC、BSM300GB120DLC、BSM100GB120DLCK、 FF100R12KS4、FF150R12KS4、FF200R12KS4、FF300R12KS4、FF400R12KS4、FF600R12KF4、 FF400R12KF4、FF800R12KF4、FF400R12KL4C、FF600R12KL4C、FF800R12KL4C、FF150R12KE3、 FF150R12KE3G、FF200R12KE3、FF300R12KE3、FF400R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KT3、 FF400R12KT3、FF400R16KF4、FF600R16KF4、FF400R17KF6C_B2、FF600R17KF6C_B2、 FF800R17KF6C_B2、FF401R17KF6C_B2、FF200R17KE3、FF300R17KE3、FF600R17KE3、 FF800R17KE3、FF1200R17KE3、FF400R17KE3_B2、FF600R17KE3_B2、FF800R17KE3_B2、 FF1200R17KE3_B2、FF650R17IE4、FF1000R17IE4、BSM50GB170DN2、BSM75GB170DN2、 BSM100GB170DN2、BSM150GB120DN2、BSM100GB170DLC、BSM75GB170DLC、BSM150GB170DLC、 BSM200GB170DLC、FF150R17ME3G、FF225R17ME3、FF300R17ME3、FF450R17ME3、BSM50GB60DLC、 BSM75GB60DLC、BSM75GB60DLC、BSM100GB60DLC、BSM150GB60DLC、BSM200GB60DLC、BSM300GB60DLC、 FF200R06K3、FF300R06KE3、FF400R06KE3、FD300R06KE3、FF450R06ME3、FF600R06ME3.
TOSHIBA IPM 東芝智能型,帶驅動保護功能 IPM IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
保管時的注意事項 一般保存IGBT模塊的場所,應保持常溫常濕狀態,不應偏離太大。常溫的規定為5~35℃ ,常濕的規定在45~75%左右。在冬天特別干燥的地區,需用加濕機加濕; 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合; 在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象,因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方; 保管時,須注意不要在IGBT模塊上堆放重物; 裝IGBT模塊的容器,應選用不帶靜電的容器。 IGBT模塊由于具有多種優良的特性,使它得到了快速的發展和普及,已應用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能,了解選擇及使用時的注意事項對實際中的應用是十分必要的。
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