| 新聞:甘孜F4-50R12MS4大功率IGBT模塊 |
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昆山德勝億電子科技有限公司
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。 新聞:甘孜F4-50R12MS4大功率IGBT模塊 從“農(nóng)耕時(shí)代”到“信息經(jīng)濟(jì)”，暗黑勢力正在洪水猛獸般發(fā)動(dòng)侵襲有一個(gè)形象的比喻，人們視線中的在線業(yè)務(wù)有多繁榮，視線之下的黑色產(chǎn)業(yè)就有多龐大，這不是危言聳聽。數(shù)字化加快了信息的傳播與交流，改變了傳統(tǒng)的商業(yè)模式，便利了人們的生活；與此同時(shí)，也衍生出組織嚴(yán)密、商業(yè)成熟的黑色產(chǎn)業(yè)鏈。地下黑產(chǎn)正依循著人類歷史經(jīng)濟(jì)的發(fā)展軌跡，快速發(fā)展，造就了每年超過4000億美元的網(wǎng)絡(luò)地下黑產(chǎn)經(jīng)濟(jì)。人類的經(jīng)濟(jì)發(fā)展，可以分為農(nóng)業(yè)經(jīng)濟(jì)、工業(yè)經(jīng)濟(jì)及信息經(jīng)濟(jì)三個(gè)時(shí)期。  IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。 選擇 IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。  新聞:甘孜F4-50R12MS4大功率IGBT模塊 在上一次黃金和白銀價(jià)格大幅上漲（1980年）時(shí)，這個(gè)比率為17。值得注意的是，當(dāng)銀在十年后達(dá)到低點(diǎn)時(shí)，這個(gè)比率達(dá)到100。當(dāng)金和銀價(jià)再次創(chuàng)下歷史新高時(shí)，這個(gè)比率在30和44之間波動(dòng)。當(dāng)最近在2016年創(chuàng)下新的低點(diǎn)時(shí)，比值在78左右，目前是在72左右，仍相對較高。在新千年中，這個(gè)比率一直在40到80之間波動(dòng)。看起來，大莊家之間的整體理解將讓其保持在這個(gè)范圍內(nèi)，這對我來說是完美的。黃金/白銀比例不可能走出“控制”，讓我們來看看其他關(guān)鍵參數(shù)，并做一些算術(shù)。  測量 靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無窮大; 表筆對調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無窮大;表筆對調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個(gè)單元沒有明顯的故障. 動(dòng)態(tài)測試: 把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時(shí)黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時(shí)電阻應(yīng)為300-400歐,把表筆對調(diào)也有大約300-400歐的電阻表明此IGBT單元是完好的. 用同樣的方法測試1、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的。 將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S)，此時(shí)萬用表的指針指在無窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極(S)和柵極(G)，這時(shí)IGBT 被阻 斷，萬用表的指針回到無窮處。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。 注意：若進(jìn)第二次測量時(shí)，應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G)。 任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無法判斷IGBT 的好壞。  新聞:甘孜F4-50R12MS4大功率IGBT模塊 具體應(yīng)用到工業(yè)化生產(chǎn)中，新材料的制備技術(shù)仍在不斷革新。團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)了系列有色金屬電積用柵欄型鋁基鉛合金復(fù)合陽極制備新技術(shù)和鉛基多元合金制備技術(shù)。利用鋁優(yōu)良的導(dǎo)電性和鉛合金良好的電化學(xué)性能，采用擠壓拉拔復(fù)合技術(shù)制備鋁基鉛合金復(fù)合材料，并將其加工成柵欄型鋁基鉛合金復(fù)合陽極板；利用微合金化理論開發(fā)出鋅電積用Pb-Ag-Al合金，A1摻雜到鉛合金中，降低貴金屬銀的添加量；銅電積用Pb-Ca-Cu-Sn-RE合金，添加少量銅可細(xì)化鉛合金晶粒，加入銅和稀土有利于提高合金電催化活性和耐腐蝕性。 |
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