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 真空鍍膜廠家來(lái)說(shuō)說(shuō)鍍膜均勻性的調(diào)整方法

  真空鍍膜廠家總結(jié)如下：

  首先我想說(shuō)如果你想解決色差的問(wèn)題，最好有一個(gè)測(cè)膜厚的儀器(光學(xué)膜厚或者物理膜厚);

  其次還得有一個(gè)掃描光譜反射的儀器，至少是可見(jiàn)光范圍的檢測(cè)儀器;

  第三才到工藝的分析，可以根據(jù)以上所測(cè)的數(shù)據(jù)做一個(gè)分析，確定是膜厚不均勻引起的，還是由于材料折射率不均勻引起的，當(dāng)然大部分是因?yàn)槟ず竦囊蛩亍?/span>

  第四，確保磁場(chǎng)的均勻性，如果是我們GENCOA的陰極，我們可以保證直線跑道上磁場(chǎng)均勻性達(dá)到1%。還有有效寬度與靶材長(zhǎng)度的關(guān)系，一般是有效長(zhǎng)度=靶材長(zhǎng)度-3x靶材寬度。

  第五，檔板的開口調(diào)節(jié)，檔板盡量靠近基架，這樣子等離子體在濺射過(guò)程中更加穩(wěn)定。

  第六，(推薦手段)分段布?xì)庹{(diào)節(jié)，這樣在不破空的情況下可以調(diào)節(jié)均勻性。一般1200mm~1800mm的靶建議3段布?xì)猓細(xì)忾L(zhǎng)度是1:3:1，再長(zhǎng)的可以5段或7段布?xì)狻?/span>

  第七，如果是反應(yīng)濺射盡量是布?xì)夤茈x濺射區(qū)越近越好，縮短控制的響應(yīng)時(shí)間。建議做過(guò)渡態(tài)濺射，推薦選擇使用Speedflo控制。

  第八，考慮溫度的影響，可以測(cè)一下基片的上中下的溫度是否均勻。

  第九，考慮抽氣的均勻性，分子泵離陰極太近或太遠(yuǎn)都不是什么好事。

  第十，考慮功率密度，如果功率密度太低了，其實(shí)靶表面的電位也會(huì)不穩(wěn)定的，但不同材料功率密度要求也是不一樣的。比如ITO一般是2W/cm2以上，Si一般是5W/cm2以上……

  除此之外還需要考慮靶材表面的清潔度，所以靶面的非濺射區(qū)越小越好，對(duì)應(yīng)的靶材利用率越高越好，但不能是移動(dòng)磁場(chǎng)。還有靶基距因素;還有真空度因素;還有電源的穩(wěn)定性，是否有打弧的現(xiàn)象等等。

  但一般來(lái)說(shuō)，通過(guò)分段布?xì)舛寄苷{(diào)整好的。我本人不建議使用調(diào)磁場(chǎng)和活動(dòng)檔板的方法，調(diào)磁場(chǎng)很容易造成打弧和以后的均勻性調(diào)整，活動(dòng)檔板漏氣的幾率會(huì)加大，一條鍍膜線十幾個(gè)靶位，如果有一個(gè)漏氣了，那就白搞了，尤其是加熱的系統(tǒng)。

  所以分段布?xì)夂瓦^(guò)渡態(tài)控制濺射是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。(如果想了解更多歡迎關(guān)注GENCOA公眾號(hào)，里面有我本人的聯(lián)系方式，謝謝!)

  以上希望對(duì)大家有所用，最后祝大家做好工藝，我一直相信只要工藝技術(shù)好，比別人的更好，市場(chǎng)還是大大的有，工藝技術(shù)決定出路。

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